يشير قالب GaN الخاص ب PWG إلى طبقات GaN الإبيتاكسيالية عالية الجودة التي تنمو على ركائز من الياقوت الأزرق أو السيليكون أو SiC. توفير منصة فعالة من حيث التكلفة وجاهزة لإعادة نمو GaN لاحقا وتصنيع الأجهزة المتقدمة.

رقائق GaN LED فوق التاكسيات من PWG هي هياكل غير متجانسة من نوع AlGaN/InGaN النمطية في MOCVD مصممة لمصابيح LED عالية الكفاءة من الأشعة فوق البنفسجية والزرقاء والخضراء. تتميز هذه الرقائق بهياكل دقيقة متعددة الكم (MQW)، وتوفر كفاءة كمومية داخلية عالية (IQE)، وانبعاتا موحدا، وموثوقية أجهزة متفوقة.

هياكل AlGaN/GaN HEMT المزروعة بدقة لتبديل الترددات الراديوية عالية التردد والتبديل عالي الطاقة. تتميز بمخازن منخفضة العيوب وقنوات 2DEG عالية الكثافة لأداء أفضل للجهاز.