رقائق أشباه الموصلات الثالثة-الخامسة
رقاقة شبه الموصلات III-V
هياكل غير متجانسة دقيقة من قبل MOCVD/MBE على ركائز InP وGaSb وGaAs. تم تصميمها لأجهزة HEMT عالية الأداء، pHEMTs، HBTs، ديودات الليزر، VCSELs، وكواشف الأشعة تحت الحمراء. دعم هياكل إب إبيريمون المخصصة من البحث والتطوير إلى الإنتاج الضخم.