ركيزة السيليكون
ركيزة السيليكون
توفر مجموعة باور ويفرتك رقائق السيليكون أحادية البلورة لتصنيع أجهزة أشباه الموصلات، وMEMS، والنمو السطحي، وتطبيقات البحث. يمكن توفير رقائق السيليكون من الدرجة الأولى والاختبارية على حد سواء.
مركز المنتجات
ابحث عن الويفر المناسب لبرنامجك.
استكشف رقائق أشباه الموصلات المركبة القياسية حسب عائلة المواد، المواصفات، والتطبيق—أو تواصل مع فريقنا للحصول على معلمات مخصصة ومعالجة لاحقة.
البحث عن المنتجات والتصنيف
ابدأ بالمادة. قم بالتنقيح حسب المواصفات.
ابن مسارا واضحا من عائلة المواد إلى مواصفات رقاقة جاهزة للإنتاج.
رقاقة السيليكون فوق التاكسي
رقاقة السيليكون فوق التاكسي
توفر مجموعة باور ويفرتك رقائق السيليكون فوق التاكسي (رقائق Si إبينيفر) المزروعة بواسطة إبيتاكسي متقدم في أمراض القلب والأوعية الدموية. توضع طبقات السيليكون المسيطر عليها بدقة على ركائز موصلة لتحقيق السماكة، وملف التطعيم، والمقاومة المطلوبة لتصنيع أجهزة أشباه الموصلات.
رقاقة ثاني أكسيد السيليكون
رقاقة ثاني أكسيد السيليكون
توفر مجموعة باور ويفرتك رقائق ثاني أكسيد السيليكون (SiO₂ على السيليكون على السيليكون المصنوعة من الأكسدة الحرارية المسيطر عليها لركائز السيليكون. يتوفر كل من الأكسدة الحرارية الجافة والأكسدة الحرارية الرطبة لكل من سماكة الأكاسيد ومتطلبات العمليات المختلفة. تتميز رقائق SiO₂ لدينا بسماكة أكسيد مضبوط، وتجانس جيد على مستوى الرقاقة، وأسطح جاهزة للعمليات.
رقائق أشباه الموصلات الثالثة-الخامسة
رقاقة شبه الموصلات III-V
تقدم PWG حلول إبيتاكسيالية تعتمد على ركائز InP وGaSb وGaAs، وتغطي البنى غير المتجانسة لأجهزة HEMTs، pHEMTs، HBTs، صمامات الليزر، كاشفات الضوء، VCSELs، كواشف الأشعة تحت الحمراء وغيرها من الأجهزة III-V.
رقائق المركبة III-V
رقاقة InSb
مع فجوة نطاقية مباشرة ضيقة جدا تبلغ حوالي 0.17 إلكترون فولت عند 300 كلفن وحركة إلكترونية عالية بشكل استثنائي، فإن InSb مناسبة بشكل خاص للكشف بالأشعة تحت الحمراء متوسطة الطول الموجي (MWIR) في نطاق 3–5 ميكرومتر. توفر PWG رقائق أنتيمونيد إنديوم من النوع N والنوع P للكشف عن الأشعة تحت الحمراء عالية الحساسية، والاستشعار المغناطيسي، والإلكترونيات المبردة.
رقائق المركبة III-V
رقاقة InP
فوسفيد الإنديوم (InP) هو شبه موصل مركب III-V يتميز بفجوة نطاق مباشرة (1.34eV عند 300K) وحركة إلكترونيات أعلى من GaAs. يقدم أداء متفوقا في ثلاثة مجالات رئيسية: الترددات الراديوية عالية التردد (حتى نطاق التيراهرتز)، والإلكترونيات الضوئية طويلة الطول الموجي (1.3–1.55 ميكرومتر)، والدوائر المتكاملة الضوضاء الضوئية منخفضة الطور.
لم يتم العثور على منتجات مطابقة.
ثلاث عائلات أساسية للمنتجات
ملف أعمال واضح للبرامج القياسية والمتخصصة.
راجع التكوينات المشتركة، والاستخدامات النموذجية، والمسارات المتاحة لمزيد من المواصفات.
01
مواد التأسيس
أشباه الموصلات ذات الفجوة الواسعة
02
الطبقات الهندسية
أشباه الموصلات المركبة III-V
03
البرنامج الخاص
مواد السيليكون
التطبيقات والصناعات
التطبيقات والصناعات
الحالة 01 / أنظمة الجهد العالي
باور إلكترونيكس
حلول رقائق ذات فجوة نطاق واسعة لتحويل الطاقة بكفاءة، والتبديل السريع، والتشغيل الموثوق في درجات الحرارة العالية.
تركيز التطبيق
جر EV · الشحن السريع · القوة الصناعية
المنتجات الموصى بها
ركيزة 4H-SiC
نبيدة جين
Custom SiC
عملية التفاعل
كيف يتقدم الاستفسار المخصص
قدم متطلباتك الخاصة بالبرنامج وسيأخذها مهندسونا من التقييم إلى عرض سعر مؤكد.
هندسة مخصصة
المعايير التي تتجاوز القائمة القياسية
القطر والسمك المخصص
التوجيه والقطع الجانبي
المنشطات والمقاومة
الأغشية الرقيقة وتكديس الطبقات
ملف السطح والحاف
الوسم والتغليف
01متطلبات التقديم
02مراجعة هندسية
03محاذاة المواصفات
04الاقتباس ووقت الانتظار
الاستفسار الفني
تحدث مع المهندسين حول احتياجاتك من الرقائق
شارك موادك، وأبعادك، ومواصفاتك، ومرحلة التطبيق أو المشروع. سيراجع فريقنا متطلباتك ويرد عليه خلال يوم عمل واحد.
استجابة بقيادة الهندسة
يتم توجيه الاستفسارات إلى الفريق الفني أو التجاري المناسب.
العنوان
رقم 1389، طريق ليانمي، منطقة ليانهوا الصناعية، تونغآن، شيامن، فوجيان 361100، الصين
الهاتف
البريد الإلكتروني