ركائز GaN القائمة بذاتها (FS) هي رقائق GaN ذات حجم طبيعي تقضي على الركائز الغريبة (الياقوت الأزرق/السيليكون). تتميز بكثافة انزلاقات منخفضة جدا وجودة بلورية عالية، مما يوفر المنصة المثالية لديودات الليزر عالية الأداء، ومصابيح Micro-LED، وأجهزة الترددات الراديوية.

يشير قالب GaN الخاص ب PWG إلى طبقات GaN الإبيتاكسيالية عالية الجودة التي تنمو على ركائز من الياقوت الأزرق أو السيليكون أو SiC. توفير منصة فعالة من حيث التكلفة وجاهزة لإعادة نمو GaN لاحقا وتصنيع الأجهزة المتقدمة.

رقائق GaN LED فوق التاكسيات من PWG هي هياكل غير متجانسة من نوع AlGaN/InGaN النمطية في MOCVD مصممة لمصابيح LED عالية الكفاءة من الأشعة فوق البنفسجية والزرقاء والخضراء. تتميز هذه الرقائق بهياكل دقيقة متعددة الكم (MQW)، وتوفر كفاءة كمومية داخلية عالية (IQE)، وانبعاتا موحدا، وموثوقية أجهزة متفوقة.

هياكل AlGaN/GaN HEMT المزروعة بدقة لتبديل الترددات الراديوية عالية التردد والتبديل عالي الطاقة. تتميز بمخازن منخفضة العيوب وقنوات 2DEG عالية الكثافة لأداء أفضل للجهاز.

رقائق الركيزة الفاخرة من نوع SiC لأجهزة الطاقة والترددات الراديوية والإلكترونيات الضوئية. متوفر بأنواع متعددة الأنواع 4H و6H و3C مع خيارات من النوع N، النوع P، ونصف العازل. يعرض بمقاسات 2"–12" مع تشطيبات جاهزة لإنتاج أشباه الموصلات المتقدمة.

رقائق SiC epitaxial التي تنمو بواسطة أمراض القلب والأوعية الدموية، مما يوفر توحيدا ممتازا في السماكة وكثافة عيوب منخفضة. صممت لأجهزة الطاقة من 600 فولت إلى 10 كيلو فولت (SBDs، MOSFETs، IGBTs)، مما يتيح تطبيقات عالية الأداء في المركبات الكهربائية ومحركات الصناعات والطاقة المتجددة.