رقائق GaN

قالب GaN

يشير قالب GaN الخاص ب PWG إلى طبقات GaN الإبيتاكسيالية عالية الجودة التي تنمو على ركائز من الياقوت الأزرق أو السيليكون أو SiC. توفير منصة فعالة من حيث التكلفة وجاهزة لإعادة نمو GaN لاحقا وتصنيع الأجهزة المتقدمة.

خيارات الركيزة — الياقوت، السيليكون، أو SiC
توصيل طبقة GaN — النوع N (مطعم Si)، النوع P (مطعم Mg)، وشبه عازل (مطعم Fe)
سمك الإبي — من ميكرومتر إلى 100 ميكرومتر (قابل للتخصيص)
الجودة البلورية — كثافة الانزلاقات <1×10⁸سم⁻² (على الياقوت)
خيارات المواد الموسعة — قالب AlGaN، قالب InGaN
التشطيب السطحي — إبي جاهز
التغليف — شريط رقاقة واحد، مختوم بالتفريغ

شارك هذا المنتج:

المواصفات التفصيلية

المواصفات حسب نوع الرقاقة.

Select a wafer type to view detailed specs

العنصر	قالب GaN-on-Sapphire (GaN-on-Al₂O₃)
الركيزة	سافير
الأقطار	2 إنش (50.8 مم)، 3 إنش (76.2مم)، 4 إنش (100مم)، و6 إنش (150مم)
التشطيب السطحي	جاهز للاستخدام المعدني، مصقول بجانب واحد أو مزدوج
خشونة السطح	رع
طبقة العين GaN	طبقة العين GaN
أنواع التوصيل	النوع N (مطعم Si)، النوع P (مطعم Mg)، ونصف عازل (مطعم Fe)
نطاق السماكة	4 ميكرومتر إلى 100 ميكرومتر، قابل للتخصيص
كثافة الانزلاقات	عادة
المقاومة	• النوع N: 1×10⁶Ω· سم
XRD FWHM من (002)
XRD FWHM من (102)

إشعار مراقبة التصدير

يتم تنظيم تصدير هذا المنتج من قبل وزارة التجارة في جمهورية الصين الشعبية (MOFCOM). يجب الحصول على ترخيص تصدير قبل الشحن.

العنصر	قالب GaN على السيليكون
الركيزة	السيليكون
الأقطار	طوابق 2 بوصة (50.8 مم)، 4 إنش (100مم)، 6 إنش (150مم)، و8 إنش (200 مم)
التشطيب السطحي	جاهز للاستخدام المعدني، مصقول بجانب واحد أو مزدوج
المقاومة	مقاومة منخفضة أو مقاومة عالية
طبقة GaN	طبقة GaN
أنواع التوصيل	النوع N (مطعم Si)، النوع P (مخدر Mg) وشبه عازل (مطعم Fe)
السماكة	~4-6 ميكرومتر، قابل للتخصيص

إشعار مراقبة التصدير

العنصر	GaN على قالب SiC
الركيزة	4H-SiC شبه عازل
الأقطار	2 بوصة (50.8 مم)، 4 إنش (100 مم)، و6 إنش (150 مم)
التشطيب السطحي	جاهز للاستخدام المعدني، مصقول بجانب واحد أو مزدوج
خشونة السطح	رع
طبقة العين GaN	طبقة العين GaN
أنواع التوصيل	النوع N (مطعم Si)، النوع P (مطعم Mg)، ونصف عازل (مطعم Fe)
نطاق السماكة	1μm~2μm، قابل للتخصيص
XRD FWHM من (002)
XRD FWHM من (102)

إشعار مراقبة التصدير

التطبيقات

حيث يقدم هذا الويفر قيمة

باور إلكترونيكس

منصة مثالية لأجهزة التبديل عالية الجهد والطاقة العالية، بما في ذلك أجهزة الطاقة العالية GaN-on-Si HEMT للشواحن السريعة، وأنظمة الدفع للسيارات الكهربائية، ومزودات مراكز البيانات.

الاتصالات والترددات اللاسلكية

قوالب GaN مثالية لوحدات التردد الراديوي عالية التردد، وبنية 5G/6G التحتية، ومضخمات طاقة mmWave التي تتطلب حركة إلكترونية عالية واستقرار حراري.

الإلكترونيات البصرية وميكرو-LED

تم تطبيقه في النمو العرضي لباعثات LED الزرقاء والخضراء، ودايدات الليزر (LDs)، وشاشات Micro-LED من الجيل القادم. تمكين هياكل InGaN/GaN MQW المتقدمة لانبعاثات ضوئية عالية الكفاءة.

الأشعة فوق البنفسجية والاستشعار

لتصنيع كاشفات الأشعة فوق البنفسجية/UVA، وحساسات الأشعة فوق البنفسجية العمياء الشمسية، وأجهزة الاستشعار الكيميائي/البيولوجية التي تتطلب جودة بلورية عالية وكثافة عيوب منخفضة.

الأسئلة الشائعة

أسئلة شائعة حول هذا المنتج

إجابات سريعة حول اختيار المواد، والتخصيص، والاختبار، والطلب.

هل يمكن استخدام قوالب GaN لمزيد من النمو الفصلي الإضافي؟

نعم. تم تصميم قوالب GaN بشكل أساسي كمنصات جاهزة للبذر اللوحي لعمليات GaN أو إبيتاكسي النتريد الثالث المرتبط بها، مما يساعد على تبسيط عملية النمو وتوفير سطح بلوري محكم.

هل توفر قوالب AlGaN و InGaN؟

نعم. بالإضافة إلى قوالب GaN، يمكن ل PWG توفير قوالب AlGaN وInGaN للتطبيقات التي تتطلب هندسة فجوة النطاق، خاصة الأجهزة المتقدمة UV، والضوء المرئي، وغيرها من الأجهزة البصرية الإلكترونية.

ما الفرق بين قالب GaN وقاعدة GaN قائمة بذاتها؟

يتكون قالب GaN من طبقة رقيقة من GaN إبيتاكسيال تنمو على ركيزة أجنبية (مثل الياقوت الأزرق أو Si)، مما يوفر منصة فعالة من حيث التكلفة لإعادة نمو الأجهزة. ركيزة GaN المستقلة هي رقاقة GaN بالجملة مع إزالة الركيزة الأجنبية، مما يوفر أعلى جودة بلورية وأداء حراري للأجهزة عالية الجودة.

هل تدعم النماذج الأولية للبحث والتطوير وطلبات الدفعات الصغيرة؟

نعم. PWG صديق للبحث والتطوير مع MOQ مرن للنماذج الأولية. ندعم التخصيص السريع لسماكة الإبينفرين، وأنواع التطعيم، والركائز لتناسب متطلبات جهازك.