رقائق المركبة III-V

رقاقة InAs

مع فجوة ترددية مباشرة ضيقة تبلغ حوالي 0.354 إلكترون فولت عند 300 كلفن وحركة إلكترونية عالية للغاية، فإن InAs مناسبة جدا لكواشف الأشعة تحت الحمراء، وحساسات هول، والترانزستورات عالية السرعة، وغيرها من الأجهزة عالية الحركة.

عرض المنتج

رقائق المركبة III-V

ويفر GaSb

مع ثابت شبكة يبلغ حوالي 6.096 أنتيمونيد Å، يوفر GaSb (أنتيمونيد الغاليوم) توافقا ممتازا مع الشبكة مع المواد القائمة على الأنتيمونيد مثل InAs وAlSb وInAsSb، مما يجعله منصة ركيزة مهمة لكواشف الأشعة تحت الحمراء من النوع الثاني (T2SL)، والليزرات المتوسطة الأشعة تحت الحمراء، والأجهزة البصرية الإلكترونية المتقدمة. تتوفر رقائق GaSb بأقطار متعددة، واتجاهات بلوراتية، وتشطيبات سطحية متعددة للنمو الإبيتاكسي وتصنيع الأجهزة.

عرض المنتج

رقائق المركبة III-V

رقائق GaAs

يجمع أرسنيق الغاليوم (GaAs) بين فجوة النطاق المباشرة وحركة الإلكترونات العالية، مما يجعله مادة ركيزة مستخدمة على نطاق واسع لأنظمة MMICs، وHEMTs، وHBTs، وVCSELs، وديودات الليزر، ومصابيح LED، والخلايا الشمسية عالية الكفاءة. تتوفر رقائق GaAs بأقطار متعددة، واتجاهات كريستالية، وتشطيبات سطحية متعددة.

عرض المنتج

رقائق SiC

ركيزة SiC

رقائق الركيزة SiC لتطبيقات الطاقة، الترددات الراديوية، الفوتوإلكترونيك، وأشباه الموصلات المتقدمة. متوفر بإصدارات 4H-SiC، 6H-SiC و3C-SiC، مع خيارات من النوع N، النوع P، ونصف العازل، وأحجام رقائق متعددة، ومستويات تطعيم وتشطيبات سطحية.

عرض المنتج

رقائق SiC

إبيتاكسي SiC

توفر رقائق SiC الإبيتاكسيالية لدينا – التي تزرع بواسطة CVD على ركائز SiC – تجانسا مضبوطا جيدا وكثافة عيوب منخفضة، مما يشكل منصة موثوقة ل SBD وMOSFET وJFET وIGBT وGTO وBJT وغيرها من 600 فولت إلى 10 كيلو فولت.

عرض المنتج

رقائق GaN

قالب GaN

تتكون قوالب GaN الخاصة ب PWG من طبقة GaN إبيتاكسيالية عالية الجودة تنمو على ركائز أجنبية، مما يوفر توازنا مثاليا بين الأداء والإدارة الحرارية وكفاءة التكلفة.

عرض المنتج