رقائق المركبة III-V
رقاقة InP
رقاقة فوسفيد الإنديوم (InP) هي أشباه موصلات مركبة ذات فجوة نطاقية مباشرة (1.34eV) عالية التنقل (1.34eV) III-V. محسن للترددات الراديوية عالية التردد (حتى التيراهرتز)، والاتصالات البصرية بتردد 1.3–1.55 ميكرومتر، والدوائر المتكاملة الضوئية منخفضة الضوضاء (PICs). تتميز بتشطيبات سطحية منخفضة ال EPD وجاهزة للبوين.