مورد رقائق وبيتاكسي المركبة لأشباه الموصلات | مجموعة باور ويفرتك

مركز المنتجات

ابحث عن الويفر المناسب لبرنامجك.

استكشف ركائز أشباه الموصلات المركبة القياسية ورقائق الإبينفرين—أو تعاون مع مهندسينا للحصول على مواصفات مخصصة.

احصل على الدعم الفني

البحث عن المنتجات والتصنيف

ابحث حسب المادة. قم بالتنقيح حسب المواصفات.

ابحث بسرعة عن رقائق أشباه الموصلات المركبة القياسية، أو اطلب مواصفات مخصصة لبرنامج جهازك.

رقائق المركبة III-V

رقاقة InP

رقاقة فوسفيد الإنديوم (InP) هي أشباه موصلات مركبة ذات فجوة نطاقية مباشرة (1.34eV) عالية التنقل (1.34eV) III-V. محسن للترددات الراديوية عالية التردد (حتى التيراهرتز)، والاتصالات البصرية بتردد 1.3–1.55 ميكرومتر، والدوائر المتكاملة الضوئية منخفضة الضوضاء (PICs). تتميز بتشطيبات سطحية منخفضة ال EPD وجاهزة للبوين.

عرض المنتج

رقائق المركبة III-V

رقائق GaAs

يجمع أرسنيق الغاليوم (GaAs) بين فجوة النطاق المباشرة وحركة إلكترونية عالية، مما يجعله مادة ركيزة مستخدمة على نطاق واسع للأجهزة عالية التردد والبصرية الإلكترونية. تدعم رقائق GaAs من PWG وحدات MMICs، وHEMTs، وHBTs، وVCSELs، ودايدات الليزر، والخلايا الشمسية عالية الكفاءة، والمتوفرة بأقطار متعددة، واتجاهات بلورات، وتشطيبات سطحية جاهزة ل-Epi.

عرض المنتج

رقائق المركبة III-V

رقاقة InAs

توفر مجموعة باور ويفرتك رقائق الركيزة من الإنديوم أرسنيخ (InAs) للكشف عن الأشعة تحت الحمراء، والإلكترونيات عالية الحركة، وأبحاث أشباه الموصلات المتقدمة في III-V. تشمل الخيارات المتاحة InAs من النوع N والنوع P، مع أقطار رقاقة مختارة واتجاهات بلورات وتشطيبات سطحية لتصنيع الأجهزة والنمو الإبيتاكسي.

عرض المنتج

رقائق المركبة III-V

ويفر GaSb

مع ثابت شبكة يبلغ حوالي 6.096 أنتيمونيد Å، يوفر GaSb (أنتيمونيد الغاليوم) توافقا ممتازا مع الشبكة مع المواد القائمة على الأنتيمونيد مثل InAs وAlSb وInAsSb، مما يجعله منصة ركيزة مهمة لكواشف الأشعة تحت الحمراء من النوع الثاني (T2SL)، والليزرات المتوسطة الأشعة تحت الحمراء، والأجهزة البصرية الإلكترونية المتقدمة. تتوفر رقائق GaSb بأقطار متعددة، واتجاهات بلوراتية، وتشطيبات سطحية متعددة للنمو الإبيتاكسي وتصنيع الأجهزة.
عرض المنتج

رقائق المركبة III-V

رقاقة InSb

مع فجوة نطاقية مباشرة ضيقة جدا تبلغ حوالي 0.17 إلكترون فولت عند 300 كلفن وحركة إلكترونية عالية بشكل استثنائي، فإن InSb مناسبة بشكل خاص للكشف بالأشعة تحت الحمراء متوسطة الطول الموجي (MWIR) في نطاق 3–5 ميكرومتر. توفر PWG رقائق أنتيمونيد إنديوم من النوع N والنوع P للكشف عن الأشعة تحت الحمراء عالية الحساسية، والاستشعار المغناطيسي، والإلكترونيات المبردة.
عرض المنتج

رقائق GaN

ركيزة GaN مستقلة

ركائز GaN القائمة بذاتها (FS) هي رقائق GaN ذات حجم طبيعي تقضي على الركائز الغريبة (الياقوت الأزرق/السيليكون). تتميز بكثافة انزلاقات منخفضة جدا وجودة بلورية عالية، مما يوفر المنصة المثالية لديودات الليزر عالية الأداء، ومصابيح Micro-LED، وأجهزة الترددات الراديوية.

عرض المنتج

ثلاث عائلات مادية أساسية

خارطة طريق المواد الهندسية لجهازك

تصفح الركائز ورقاقات الإبينيوم حسب العائلة المادية. تتوفر تكوينات قياسية ومواصفات مخصصة للبحث والتطوير والإنتاج الضخم.

التطبيقات والصناعات

التطبيقات والصناعات

الحالة 01 / أنظمة الجهد العالي

باور إلكترونيكس

حلول رقائق ذات فجوة واسعة مصممة لمعماريات 800V+. ضمان تحويل الطاقة عالي الكفاءة، والتبديل السريع، والتشغيل الموثوق في درجات الحرارة العالية.

تركيز التطبيق

محركات السيارات الكهربائية · الشحن السريع · محركات المحرك الصناعية

المنتجات الموصى بها

4H-SiC GaN

عملية التفاعل

كيف يتقدم الاستفسار المخصص

قدم متطلباتك الخاصة بالبرنامج وسيأخذها مهندسونا من التقييم إلى عرض سعر مؤكد.

هندسة مخصصة

المعايير التي تتجاوز القائمة القياسية

القطر والسمك المخصص
التوجيه والقطع الجانبي
المنشطات والمقاومة
الأغشية الرقيقة وتكديس الطبقات
ملف السطح والحاف
الوسم والتغليف
01متطلبات التقديم
02مراجعة هندسية
03محاذاة المواصفات
04الاقتباس ووقت الانتظار
تحدث إلى مهندس

الاستفسار الفني

تحدث مع المهندسين حول احتياجاتك من الرقائق

شارك موادك، وأبعادك، ومواصفاتك، ومرحلة التطبيق أو المشروع. سيراجع فريقنا متطلباتك ويرد عليه خلال يوم عمل واحد.

استجابة بقيادة الهندسة

يتم توجيه الاستفسارات إلى الفريق الفني أو التجاري المناسب.

العنوان

رقم 1389، طريق ليانمي، منطقة ليانهوا الصناعية، تونغآن، شيامن، فوجيان 361100، الصين

الهاتف

+86-592-5633652

البريد الإلكتروني

victorchan@powerwafertech.com

رفع الملف
البريد الإلكترونيvictorchan@powerwafertech.com الهاتف+86-592-5633652