رقائق SiC

ركيزة SiC

رقائق الركيزة SiC لتطبيقات الطاقة، الترددات الراديوية، الفوتوإلكترونيك، وأشباه الموصلات المتقدمة. متوفر بإصدارات 4H-SiC، 6H-SiC و3C-SiC، مع خيارات من النوع N، النوع P، ونصف العازل، وأحجام رقائق متعددة، ومستويات تطعيم وتشطيبات سطحية.

عرض المنتج

رقائق SiC

إبيتاكسي SiC

توفر رقائق SiC الإبيتاكسيالية لدينا – التي تزرع بواسطة CVD على ركائز SiC – تجانسا مضبوطا جيدا وكثافة عيوب منخفضة، مما يشكل منصة موثوقة ل SBD وMOSFET وJFET وIGBT وGTO وBJT وغيرها من 600 فولت إلى 10 كيلو فولت.

عرض المنتج

رقائق GaN

قالب GaN

تتكون قوالب GaN الخاصة ب PWG من طبقة GaN إبيتاكسيالية عالية الجودة تنمو على ركائز أجنبية، مما يوفر توازنا مثاليا بين الأداء والإدارة الحرارية وكفاءة التكلفة.

عرض المنتج

رقائق GaN

اختبار GaN LED

رقائق GaN LED فوق التاكسيات من PWG هي هياكل غير متجانسة جاهزة للتصنيع تم تطويرها بواسطة MOCVD، مصممة لكفاءة كمية داخلية عالية (IQE)، وانبعاث موحد، وأداء قوي.

عرض المنتج

رقائق GaN

نبيدة GaN HEMT

رقائق GaN HEMT فوق التاكسيات هي هياكل غير متجانسة مزروعة بدقة من نوع AlGaN/GaN مصممة لأجهزة التبديل عالية التردد وعالية الطاقة.

عرض المنتج

رقائق GaN

ركيزة GaN مستقلة

ركائز GaN القائمة بذاتها (FS) هي رقائق GaN ضخمة تقضي على قالب النمو الأجنبي (مثل الياقوت الأزرق أو السيليكون)، مما يوفر منصة طبيعية بكثافة انزلاقات أقل بشكل ملحوظ. يتيح ذلك تحسين أداء الجهاز وموثوقيته وعمره في التطبيقات المتطلبة

عرض المنتج